Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPI08CNE8N G
Infineon Technologies

IPI08CNE8N G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IPI08CNE8N G
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
Πακέτο PG-TO262-3
Σε απόθεμα 4144 pcs
Φύλλο δεδομένων IP(B,I,P)08CNE8N GPart Number GuideCoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4144 κομμάτια του Infineon Technologies IPI08CNE8N G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO262-3
Σειρά OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 95A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 167W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 6690 pF @ 40 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 99 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 85 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IPI08C

Συνιστώμενα προϊόντα

IPI08CNE8N G Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων